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FDN8601-HXY
IC

SOT-23-3L

可供量大可议

FDN8601-HXY

FDN8601 N沟道MOS管, 采用节省空间的SOT-23-3L封装形式, 专为高功率密度设计。 该器件特性优良, 支持高达100V的工作电压VDSS, 连续电流能力达到5A, 并具有竞争力的100mR导通电阻, 以实现高效能和低热耗损。 广泛应用于电源开关、电机驱动、电池管理系统等场合, 凭借其卓越的性能与可靠性, 是您优化电路设计、提升系统效能的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23-3L

库存

15

货期

现货

FDN8601-HXY参数

封装SOT-23-3L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存15

FDN8601-HXY概述

FDN8601 N沟道MOS管, 采用节省空间的SOT-23-3L封装形式, 专为高功率密度设计。 该器件特性优良, 支持高达100V的工作电压VDSS, 连续电流能力达到5A, 并具有竞争力的100mR导通电阻, 以实现高效能和低热耗损。 广泛应用于电源开关、电机驱动、电池管理系统等场合, 凭借其卓越的性能与可靠性, 是您优化电路设计、提升系统效能的理想选择。

FDN8601-HXY特性

暂无产品特性。

FDN8601-HXY应用领域

暂无应用领域。

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