FDN8601-HXY
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
FDN8601-HXY
FDN8601 N沟道MOS管, 采用节省空间的SOT-23-3L封装形式, 专为高功率密度设计。 该器件特性优良, 支持高达100V的工作电压VDSS, 连续电流能力达到5A, 并具有竞争力的100mR导通电阻, 以实现高效能和低热耗损。 广泛应用于电源开关、电机驱动、电池管理系统等场合, 凭借其卓越的性能与可靠性, 是您优化电路设计、提升系统效能的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23-3L
库存
15
货期
现货
FDN8601-HXY参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
FDN8601-HXY概述
FDN8601 N沟道MOS管, 采用节省空间的SOT-23-3L封装形式, 专为高功率密度设计。 该器件特性优良, 支持高达100V的工作电压VDSS, 连续电流能力达到5A, 并具有竞争力的100mR导通电阻, 以实现高效能和低热耗损。 广泛应用于电源开关、电机驱动、电池管理系统等场合, 凭借其卓越的性能与可靠性, 是您优化电路设计、提升系统效能的理想选择。
FDN8601-HXY特性
暂无产品特性。
FDN8601-HXY应用领域
暂无应用领域。
