FDN5632N-F085
IC
SOT-23-3
可供量大可议
FDN5632N-F085
特性：RDS(on) = 98 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 A。 RDS(on) = 82 mΩ at VGS = 10 V, ID = 1.7 A。 ID at VGS = 9.2 nC at VGS = 10 V。 低米勒电荷。 UIS能力。 符合AEC Q101标准。 应用：DC/DC转换器。 电机驱动器
品牌
onsemi
封装
SOT-23-3
库存
516
货期
现货
FDN5632N-F085参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 516 |
FDN5632N-F085概述
特性：RDS(on) = 98 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 A。 RDS(on) = 82 mΩ at VGS = 10 V, ID = 1.7 A。 ID at VGS = 9.2 nC at VGS = 10 V。 低米勒电荷。 UIS能力。 符合AEC Q101标准。 应用：DC/DC转换器。 电机驱动器
FDN5632N-F085特性
暂无产品特性。
FDN5632N-F085应用领域
暂无应用领域。