FDN5618P
自营可供
IC
SOT-23-3
FDN5618P
场效应管(MOSFET) 500mW 60V 1.25A 1个P沟道
品牌
ON
封装
SOT-23-3
交期
现货
批次
两年内
FDN5618P参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 430pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4,526 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF |
| 类型 | P沟道 |
FDN5618P概述
场效应管(MOSFET) 500mW 60V 1.25A 1个P沟道