FDN5618P-HXY

FDN5618P 是一款P沟道MOSFET， 采用小型SOT-23封装， 适用于空间有限的设计项目。 该器件提供高达60V的漏源电压(VDSS)， 能够支持1.6A的连续漏极电流(ID)， 并且具备140mΩ的导通电阻(RD(on))， 在低电压应用中展现卓越性能。 广泛应用于电源开关、负载切换、逻辑电平转换等功能模块， 是您构建高效、可靠电路的理想选择。