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FDN360P
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IC

SOT-23

FDN360P

场效应管(MOSFET) 500mW 30V 2A 1个P沟道

品牌

ON

封装

SOT-23

交期

现货

批次

26+

FDN360P参数

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))125mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)298pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)83pF
分类场效应管(MOSFET)
库存7,206
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)500mW
栅极电荷量(Qg)9nC@10V
反向传输电容(Crss)39pF
类型P沟道

FDN360P概述

场效应管(MOSFET) 500mW 30V 2A 1个P沟道

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