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FDN360P-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

FDN360P-HXY

FDN360P MOS管是一款采用经典SOT-23封装的高质量P沟道半导体元件, 工作电压VDSS高达30V, 确保在多种电源管理场景下稳定运行。 器件提供4.1A的强大电流承载能力, 且拥有48mR的低导通电阻, 有效提升系统能效并降低功耗。 适用于电池保护、电源开关控制及中等电流负载驱动等应用领域, 是电路设计者实现高效可靠控制的理想之选。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

2,780

货期

现货

FDN360P-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存2780

FDN360P-HXY概述

FDN360P MOS管是一款采用经典SOT-23封装的高质量P沟道半导体元件, 工作电压VDSS高达30V, 确保在多种电源管理场景下稳定运行。 器件提供4.1A的强大电流承载能力, 且拥有48mR的低导通电阻, 有效提升系统能效并降低功耗。 适用于电池保护、电源开关控制及中等电流负载驱动等应用领域, 是电路设计者实现高效可靠控制的理想之选。

FDN360P-HXY特性

暂无产品特性。

FDN360P-HXY应用领域

暂无应用领域。

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