FDN360P-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
FDN360P-HXY
FDN360P MOS管是一款采用经典SOT-23封装的高质量P沟道半导体元件, 工作电压VDSS高达30V, 确保在多种电源管理场景下稳定运行。 器件提供4.1A的强大电流承载能力, 且拥有48mR的低导通电阻, 有效提升系统能效并降低功耗。 适用于电池保护、电源开关控制及中等电流负载驱动等应用领域, 是电路设计者实现高效可靠控制的理想之选。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
2,780
货期
现货
FDN360P-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2780 |
FDN360P-HXY概述
FDN360P MOS管是一款采用经典SOT-23封装的高质量P沟道半导体元件, 工作电压VDSS高达30V, 确保在多种电源管理场景下稳定运行。 器件提供4.1A的强大电流承载能力, 且拥有48mR的低导通电阻, 有效提升系统能效并降低功耗。 适用于电池保护、电源开关控制及中等电流负载驱动等应用领域, 是电路设计者实现高效可靠控制的理想之选。
FDN360P-HXY特性
暂无产品特性。
FDN360P-HXY应用领域
暂无应用领域。
