FDN360P(UMW)
IC
SOT-23
可供量大可议
FDN360P(UMW)
特性：适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(VI) = 30V。 ID =-2A（VGS =-10V）。 RDS(ON) < 80mΩ（VGS =-10V）。 RDS(ON) < 125mΩ（VGS =-4.5V）。 行业标准SOT-23封装的高功率版本。 采用高性能沟槽技术， 实现极低的RDS(ON)。 低栅极电荷（典型值6.2nC）， 更高的功率处理能力
品牌
UMW
封装
SOT-23
库存
9,080
货期
现货
FDN360P(UMW)参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9080 |
FDN360P(UMW)概述
特性：适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(VI) = 30V。 ID =-2A（VGS =-10V）。 RDS(ON) < 80mΩ（VGS =-10V）。 RDS(ON) < 125mΩ（VGS =-4.5V）。 行业标准SOT-23封装的高功率版本。 采用高性能沟槽技术， 实现极低的RDS(ON)。 低栅极电荷（典型值6.2nC）， 更高的功率处理能力
FDN360P(UMW)特性
暂无产品特性。
FDN360P(UMW)应用领域
暂无应用领域。