FDN359BN(UMW)
IC
SOT-23
可供量大可议
FDN359BN(UMW)
此N沟道逻辑电平MOSFET采用专门定制的工艺生产， 可最大限度降低导通电阻， 同时保持出色的开关性能。
品牌
UMW
封装
SOT-23
库存
3,800
货期
现货
FDN359BN(UMW)参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3800 |
FDN359BN(UMW)概述
此N沟道逻辑电平MOSFET采用专门定制的工艺生产， 可最大限度降低导通电阻， 同时保持出色的开关性能。
FDN359BN(UMW)特性
暂无产品特性。
FDN359BN(UMW)应用领域
暂无应用领域。