FDN359BN
IC
SOT-23
可供量大可议
FDN359BN
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装， 适用于30V电压环境， 具备5.8A大电流处理能力。 凭借其低导通电阻和快速开关特性， 广泛应用于充电器、电源管理及各类高效率电子设备中， 实现精准可靠的功率转换与控制功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
1,700
货期
现货
FDN359BN参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1700 |
FDN359BN概述
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装， 适用于30V电压环境， 具备5.8A大电流处理能力。 凭借其低导通电阻和快速开关特性， 广泛应用于充电器、电源管理及各类高效率电子设备中， 实现精准可靠的功率转换与控制功能。
FDN359BN特性
暂无产品特性。
FDN359BN应用领域
暂无应用领域。