FDN339AN(UMW)
IC
SOT-23
可供量大可议
FDN339AN(UMW)
该N沟道2.5V特定MOSFET经过特别设计， 可最大限度地降低导通电阻， 同时保持较低的栅极电荷， 以实现卓越的开关性能。
品牌
UMW
封装
SOT-23
库存
2,500
货期
现货
FDN339AN(UMW)参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2500 |
FDN339AN(UMW)概述
该N沟道2.5V特定MOSFET经过特别设计， 可最大限度地降低导通电阻， 同时保持较低的栅极电荷， 以实现卓越的开关性能。
FDN339AN(UMW)特性
暂无产品特性。
FDN339AN(UMW)应用领域
暂无应用领域。