FDN337N
IC
SOT-23-3
可供量大可议
FDN337N
场效应管(MOSFET) 500mW 30V 2.2A 1个N沟道
品牌
ON
封装
SOT-23-3
库存
37,110
货期
现货
FDN337N参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V； 70mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 输入电容(Ciss) | 300pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 37,110 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF |
| 类型 | N沟道 |
FDN337N概述
场效应管(MOSFET) 500mW 30V 2.2A 1个N沟道
FDN337N特性
暂无产品特性。
FDN337N应用领域
暂无应用领域。