FDN335N
自营可供
IC
SOT-23-3
FDN335N
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.7A 1个N沟道
品牌
ON
封装
SOT-23-3
交期
现货
批次
26+
FDN335N参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 输入电容(Ciss) | 260pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
| 商品型号 | FDN335N |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11,041 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF |
| 配置 | 独立式 |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A |
| 封装 | SOT-23 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.3267e-05 |
FDN335N概述
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.7A 1个N沟道
FDN335N特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术