FDN335N(UMW)
IC
SOT-23
可供量大可议
FDN335N(UMW)
这款额定电压为 2.5V 的 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产， 该工艺经过特别定制， 可最大程度降低导通电阻， 同时保持较低的栅极电荷， 从而实现卓越的开关性能。
品牌
UMW
封装
SOT-23
库存
19,280
货期
现货
FDN335N(UMW)参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19280 |
FDN335N(UMW)概述
这款额定电压为 2.5V 的 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产， 该工艺经过特别定制， 可最大程度降低导通电阻， 同时保持较低的栅极电荷， 从而实现卓越的开关性能。
FDN335N(UMW)特性
暂无产品特性。
FDN335N(UMW)应用领域
暂无应用领域。