FDN327N
IC
SOT-23
可供量大可议
FDN327N
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 2A 1个N沟道
品牌
ON
封装
SOT-23
库存
20,602
货期
现货
FDN327N参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@1.8V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 423pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20,602 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF |
| 类型 | N沟道 |
FDN327N概述
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 2A 1个N沟道
FDN327N特性
暂无产品特性。
FDN327N应用领域
暂无应用领域。