FDN308P-TWGMC
IC
SOT-23
可供量大可议
FDN308P-TWGMC
漏源电压：20V 连续漏极电流：2.9A 导通电阻65mΩ@4.5V N沟道, 带ESD保护, 应用于笔记本、负载开关、电池保护、手持式仪器
品牌
TWGMC
封装
SOT-23
库存
5,900
货期
现货
FDN308P-TWGMC参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | TWGMC(迪嘉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5900 |
FDN308P-TWGMC概述
漏源电压：20V 连续漏极电流：2.9A 导通电阻65mΩ@4.5V N沟道, 带ESD保护, 应用于笔记本、负载开关、电池保护、手持式仪器
FDN308P-TWGMC特性
暂无产品特性。
FDN308P-TWGMC应用领域
暂无应用领域。