FDN308P(UMW)
IC
SOT-23
可供量大可议
FDN308P(UMW)
特性：采用先进的PowerTrench工艺的坚固栅极版本。 针对电源管理应用进行了优化， 具有宽范围的栅极驱动电压（2.5V-12V）。 VDS(V) = -20V。 RDS(On) < 100mΩ（VGS = -4.5V）。 RDS(On) = 120mΩ（VGS = -2.5V）
品牌
UMW
封装
SOT-23
库存
1,970
货期
现货
FDN308P(UMW)参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1970 |
FDN308P(UMW)概述
特性：采用先进的PowerTrench工艺的坚固栅极版本。 针对电源管理应用进行了优化， 具有宽范围的栅极驱动电压（2.5V-12V）。 VDS(V) = -20V。 RDS(On) < 100mΩ（VGS = -4.5V）。 RDS(On) = 120mΩ（VGS = -2.5V）
FDN308P(UMW)特性
暂无产品特性。
FDN308P(UMW)应用领域
暂无应用领域。