FDN306P(UMW)
IC
SOT-23
可供量大可议
FDN306P(UMW)
特性：P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低电压 PowerTrench 工艺。 针对电池电源管理应用进行了优化。 VDS(V) = 12V。 ID = -2.6A。 RDS(ON) = 40mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 50mΩ (VGS = -2.5V)。 RDS(ON) = 80mΩ (VGS = -1.8V)
品牌
UMW
封装
SOT-23
库存
3,790
货期
现货
FDN306P(UMW)参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3790 |
FDN306P(UMW)概述
特性：P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低电压 PowerTrench 工艺。 针对电池电源管理应用进行了优化。 VDS(V) = 12V。 ID = -2.6A。 RDS(ON) = 40mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 50mΩ (VGS = -2.5V)。 RDS(ON) = 80mΩ (VGS = -1.8V)
FDN306P(UMW)特性
暂无产品特性。
FDN306P(UMW)应用领域
暂无应用领域。