FDN304P-VB
IC
SOT-23(TO-236)
可供量大可议
FDN304P-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； P—Channel沟道, -20V； -5A； RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V, VGS=8V； Vth=-0.45~-1V； 是一款单P通道功率MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。
品牌
VBsemi
封装
SOT-23(TO-236)
库存
20
货期
现货
FDN304P-VB参数
| 封装 | SOT-23(TO-236) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
FDN304P-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT23； P—Channel沟道, -20V； -5A； RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V, VGS=8V； Vth=-0.45~-1V； 是一款单P通道功率MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。
FDN304P-VB特性
暂无产品特性。
FDN304P-VB应用领域
暂无应用领域。