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FDN304P(UMW)
IC

SOT-23

可供量大可议

FDN304P(UMW)

特性:该P沟道1.8V指定MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。 VDS(V) = 20V。 ID =-2.4A。 RDS(ON)< 52mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON)< 70mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON)< 100mΩ (VGS =-1.8V)。 应用:电池保护。 负载开关

品牌

UMW

封装

SOT-23

库存

67,560

货期

现货

FDN304P(UMW)参数

封装SOT-23
品牌UMW(友台半导体)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存67560

FDN304P(UMW)概述

特性:该P沟道1.8V指定MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。 VDS(V) = 20V。 ID =-2.4A。 RDS(ON)< 52mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON)< 70mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON)< 100mΩ (VGS =-1.8V)。 应用:电池保护。 负载开关

FDN304P(UMW)特性

暂无产品特性。

FDN304P(UMW)应用领域

暂无应用领域。

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