FDN302P(UMW)
IC
SOT-23
可供量大可议
FDN302P(UMW)
特性：该P沟道2.5V产品针对电源管理应用进行了优化， 具有宽范围的栅极驱动电压（2.5V-12V）。 漏源击穿电压VDS(V) = 20V。 漏极电流ID = -2.4A。 静态漏源导通电阻RDS(ON)：55mΩ（VGS = -4.5V）； 80mΩ（VGS = -2.5V）
品牌
UMW
封装
SOT-23
库存
2,140
货期
现货
FDN302P(UMW)参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2140 |
FDN302P(UMW)概述
特性：该P沟道2.5V产品针对电源管理应用进行了优化， 具有宽范围的栅极驱动电压（2.5V-12V）。 漏源击穿电压VDS(V) = 20V。 漏极电流ID = -2.4A。 静态漏源导通电阻RDS(ON)：55mΩ（VGS = -4.5V）； 80mΩ（VGS = -2.5V）
FDN302P(UMW)特性
暂无产品特性。
FDN302P(UMW)应用领域
暂无应用领域。