FDN028N20-HXY

FDN028N20 N沟道MOSFET采用小型化SOT-23-3L封装， 专为现代高密度电子设计。 器件提供20V的漏源电压(VDSS)， 在18mR的低导通电阻(RD(on))下， 可承载高达6A的漏极电流(ID)。 此款MOS管适用于开关电源转换、电机驱动、以及其他高电流应用场合， 凭借其卓越的电流承载能力和优良能效表现， 是您提升系统性能、降低能耗的理想选择。