FDMS8848NZ-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
FDMS8848NZ-HXY
该N沟道MOSFET具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有效降低导通损耗， 适用于大电流、高效率要求的电源管理场景。 典型应用包括开关电源、同步整流、电机驱动及高密度功率转换系统， 在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
48
货期
现货
FDMS8848NZ-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
FDMS8848NZ-HXY概述
该N沟道MOSFET具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有效降低导通损耗， 适用于大电流、高效率要求的电源管理场景。 典型应用包括开关电源、同步整流、电机驱动及高密度功率转换系统， 在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。
FDMS8848NZ-HXY特性
暂无产品特性。
FDMS8848NZ-HXY应用领域
暂无应用领域。