FDMS86263P
IC
PQFN-8(5x6)
可供量大可议
FDMS86263P
此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。 这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻， 并针对卓越的开关性能进行了优化。
品牌
onsemi
封装
PQFN-8(5x6)
库存
86
货期
现货
FDMS86263P参数
| 封装 | PQFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 86 |
FDMS86263P概述
此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。 这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻， 并针对卓越的开关性能进行了优化。
FDMS86263P特性
暂无产品特性。
FDMS86263P应用领域
暂无应用领域。