FDMS86250-VB
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
FDMS86250-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极N型MOSFET， 采用Trench技术， 在轻型电动车、智能家居、医疗设备和LED照明等领域的广泛应用。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 150V； 53.7A； RDS(ON)=15.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
DFN5x6-8
库存
20
货期
现货
FDMS86250-VB参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 输入电容(Ciss) | 1.286nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 327pF |
| 商品型号 | FDMS86250-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000135 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.8mΩ@10V |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:150V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDMS86250-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极N型MOSFET， 采用Trench技术， 在轻型电动车、智能家居、医疗设备和LED照明等领域的广泛应用。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 150V； 53.7A； RDS(ON)=15.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
FDMS86250-VB特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
FDMS86250-VB应用领域
- 固定电信
- DC/DC转换器
- 初级和次级侧开关