FDMS86200DC
IC
PDFN-8(5.2x6.2)
可供量大可议
FDMS86200DC
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 该工艺结合了屏蔽门极技术。 同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展进步， 可提供最低的 rDS(on)， 同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。
品牌
onsemi
封装
PDFN-8(5.2x6.2)
库存
9
货期
现货
FDMS86200DC参数
| 封装 | PDFN-8(5.2x6.2) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
FDMS86200DC概述
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 该工艺结合了屏蔽门极技术。 同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展进步， 可提供最低的 rDS(on)， 同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。
FDMS86200DC特性
暂无产品特性。
FDMS86200DC应用领域
暂无应用领域。