FDMS86150ET100
IC
Power-56-8
可供量大可议
FDMS86150ET100
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的， 该工艺结合了屏蔽门极技术。 此工艺经过了优化， 可最大程度降低导通电阻， 同时可保持出色的开关性能。
品牌
onsemi
封装
Power-56-8
库存
10
货期
现货
FDMS86150ET100参数
| 封装 | Power-56-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDMS86150ET100 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00057 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 3.055nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 696pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:128A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDMS86150ET100概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench®工艺制造。 该工艺针对导通电阻进行了优化, 同时保持了卓越的开关性能。
FDMS86150ET100特性
- 扩展的结温(TJ)额定值至175°C
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 16 A时, 最大导通电阻rDS(on) = 4.85 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 13 A时, 最大导通电阻rDS(on) = 7.8 mΩ
- 先进的封装与硅片组合, 实现低导通电阻和高效率
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
FDMS86150ET100应用领域
- 主DC-DC MOSFET
- 次级同步整流器
- 负载开关