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FDMS86150-VB
IC

DFN5x6-8

可供量大可议

FDMS86150-VB

台积电流片, 长电科技封装; DFN8(5X6); N—Channel沟道; 100V; 105A; RDS(ON)=5.6(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=3V; 采用SGT技术

品牌

VBsemi

封装

DFN5x6-8

库存

2

货期

现货

FDMS86150-VB参数

封装DFN5x6-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2

FDMS86150-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; DFN8(5X6); N—Channel沟道; 100V; 105A; RDS(ON)=5.6(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=3V; 采用SGT技术

FDMS86150-VB特性

暂无产品特性。

FDMS86150-VB应用领域

暂无应用领域。

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