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FDMS86102LZ-VB
IC

DFN-8(5x6)

可供量大可议

FDMS86102LZ-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道功率MOSFET, 采用Trench技术, 适用于多种高性能功率电子应用。 DFN8(5X6); N—Channel沟道, 100V; 30A; RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=3~5V

品牌

VBsemi

封装

DFN-8(5x6)

库存

7

货期

现货

FDMS86102LZ-VB参数

封装DFN-8(5x6)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存7

FDMS86102LZ-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道功率MOSFET, 采用Trench技术, 适用于多种高性能功率电子应用。 DFN8(5X6); N—Channel沟道, 100V; 30A; RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=3~5V

FDMS86102LZ-VB特性

暂无产品特性。

FDMS86102LZ-VB应用领域

暂无应用领域。

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