FDMS7698-HXY

FDMS7698 N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装， 具备高效散热与小型化特性， 为您的设计提供灵活布局方案。 该器件参数出色支持30V的最高漏源电压(VDSS)， 能安全承载50A连续电流， 6.5mΩ的低导通电阻(RD(on))则确保了高效能与低损耗的优势。 广泛应用于电源转换、电机驱动等高电流处理领域， 是提升系统性能与节能效果的理想半导体元件选择。