FDMS7692
IC
Power-56-8
可供量大可议
FDMS7692
此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计， 可以使用同步开关 PWM 控制器， 也可以使用传统开关 PWM 控制器。 它经过了优化， 可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管反向恢复功能。
品牌
onsemi
封装
Power-56-8
库存
3,000
货期
现货
FDMS7692参数
| 封装 | Power-56-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDMS7692 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000213 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
| 商品名称 | FDMS7692 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDMS7692概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率并最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃而设计。 它针对低栅极电荷、低RDS(ON)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
FDMS7692特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 13 A 时, 最大 rDS(on) = 7.5 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 10 A 时, 最大 rDS(on) = 13 m Ω
- 先进的封装与硅技术结合, 实现低RDS(ON)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术, 专为软恢复设计
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
FDMS7692应用领域
- 笔记本电脑的IMVP Vcore开关
- 台式机和服务器的VRM Vcore开关
- 或门FET/负载开关
- DC-DC转换