FDMS7680-HXY

该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流和30V的漏源击穿电压， 导通电阻仅为5.7毫欧， 适用于高效率、大电流的开关应用。 其低导通电阻有效降低导通损耗， 提升系统能效， 适合用于电源转换、电机控制及高频开关电路等场合。 器件在保持低热阻的同时， 支持高密度布局， 满足对空间和散热有严苛要求的电子设计需求。