FDMS7678-NC-HXY

该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻为4.7毫欧， 在栅源电压高达20V时仍可正常工作。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 提升系统能效。 其电气特性适合用于高电流、高效率要求的电源转换、电机控制及高频开关电路等场合， 能够支持快速开关操作并维持良好的热稳定性。