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FDMS7676-VB
IC

QFN-8

可供量大可议

FDMS7676-VB

台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򬓹 򏟋 V, 󗙻 򘞟 򏟋 A, RDS(ON), 򬓹 mΩ@󗙻 򏟋 V, 𢺫 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 񤗸 Vth(V) 一款单N沟道场效应管, 适用于中功率应用场景。 具有较高的漏极电压和漏极电流能力, 以及低阈值电压和低开启电阻的特性。 采用Trench技术制造, 具有优良的性能稳定性和可靠性。 封装采用DFN򑵼 (𢺫 X𮧂 ), 适用于小型电路设计, 有利于节省空间。

品牌

VBsemi

封装

QFN-8

库存

50

货期

现货

FDMS7676-VB参数

封装QFN-8
品牌VBsemi/微碧半导体
批次24+
分类场效应管(MOSFET)
库存50
MOQ / SPQ5 / 1

FDMS7676-VB概述

台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򬓹 򏟋 V, 󗙻 򘞟 򏟋 A, RDS(ON), 򬓹 mΩ@󗙻 򏟋 V, 𢺫 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 񤗸 Vth(V) 一款单N沟道场效应管, 适用于中功率应用场景。 具有较高的漏极电压和漏极电流能力, 以及低阈值电压和低开启电阻的特性。 采用Trench技术制造, 具有优良的性能稳定性和可靠性。 封装采用DFN򑵼 (𢺫 X𮧂 ), 适用于小型电路设计, 有利于节省空间。

FDMS7676-VB特性

暂无产品特性。

FDMS7676-VB应用领域

暂无应用领域。

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