FDMS7572S-VB
IC
QFN-8
可供量大可议
FDMS7572S-VB
台积电流片， 长电封测。 򬓹 򏟋 V, 󗙻 𮧂 򏟋 A, RDS(ON), 󗙻 񄂹 򑵼 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 񄂹 𢺫 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򘞟 Vth(V) 封装：QFN򑵼 (𢺫 X𮧂 )一款单 N 型场效应晶体管， 适用于高功率和高电压应用场景。 其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。
Brand
VBsemi
Package
QFN-8
Stock
5
货期
现货
FDMS7572S-VBParameters
| 封装 | QFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 25+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
FDMS7572S-VB概述
台积电流片， 长电封测。 򬓹 򏟋 V, 󗙻 𮧂 򏟋 A, RDS(ON), 󗙻 񄂹 򑵼 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 񄂹 𢺫 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򘞟 Vth(V) 封装：QFN򑵼 (𢺫 X𮧂 )一款单 N 型场效应晶体管， 适用于高功率和高电压应用场景。 其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。
FDMS7572S-VB特性
暂无产品特性。
FDMS7572S-VB应用领域
暂无应用领域。