FDMS6681Z-HXY
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
FDMS6681Z-HXY
FDMS6681Z P沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 兼具出色散热性能与高集成度。 器件特性卓越具备30V的额定漏源电压(VDSS)， 可承载高达110A的连续电流， 而其优秀的3mΩ导通电阻(RD(on))使得能效显著提升， 降低功耗损失。 广泛应用于高压大电流领域， 如电源转换、电机驱动等， 是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(5x6)
库存
97
货期
现货
FDMS6681Z-HXY参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
FDMS6681Z-HXY概述
FDMS6681Z P沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 兼具出色散热性能与高集成度。 器件特性卓越具备30V的额定漏源电压(VDSS)， 可承载高达110A的连续电流， 而其优秀的3mΩ导通电阻(RD(on))使得能效显著提升， 降低功耗损失。 广泛应用于高压大电流领域， 如电源转换、电机驱动等， 是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。
FDMS6681Z-HXY特性
暂无产品特性。
FDMS6681Z-HXY应用领域
暂无应用领域。