FDMS6673BZ-HXY

FDMS6673BZ P沟道MOSFET采用先进DFN5X6-8L封装， 融合了卓越散热与紧凑体积。 该器件性能优越， 具备30V的最大漏源电压(VDSS)， 可支持高达70A的连续工作电流， 且导通电阻(RD(on))低至6mΩ， 有效提升系统能效， 降低损耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动等高电流场景， 是追求高性能、节能应用的理想半导体器件选择。