FDMS4D5N08LC
IC
Power-56
可供量大可议
FDMS4D5N08LC
这款N沟道中压（MV）MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造， 该工艺集成了屏蔽栅极技术。 此工艺经过优化， 可将导通电阻降至最低， 同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
品牌
onsemi
封装
Power-56
库存
1
货期
现货
FDMS4D5N08LC参数
| 封装 | Power-56 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
FDMS4D5N08LC概述
这款N沟道中压（MV）MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造， 该工艺集成了屏蔽栅极技术。 此工艺经过优化， 可将导通电阻降至最低， 同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
FDMS4D5N08LC特性
暂无产品特性。
FDMS4D5N08LC应用领域
暂无应用领域。