FDMS3664S
IC
Power-56-8
可供量大可议
FDMS3664S
此器件包含两个专用 N 沟道 MOSFET， 采用双 PQFN 封装。 开关节点已经内部连接， 可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。 控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。
品牌
onsemi
封装
Power-56-8
库存
100
货期
现货
FDMS3664S参数
| 封装 | Power-56-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDMS3664S |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000171 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 输入电容(Ciss) | 1.765nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 466pF |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:30V 电流:13A 电流:25A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDMS3664S概述
该器件在双PQFN封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。 开关节点已实现内部连接, 便于同步降压转换器的布局和布线。 控制MOSFET(Q1)和同步SyncFETTM(Q2)的设计旨在实现最佳功率效率。
FDMS3664S特性
- Q1:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 13 A时, 最大rDS(on) = 8 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 11 A时, 最大rDS(on) = 11 mΩ
- Q2:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 25 A时, 最大rDS(on) = 2.6 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 22 A时, 最大rDS(on) = 3.2 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间, 降低开关损耗
- MOSFET集成可优化布局, 降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
FDMS3664S应用领域
- 计算领域
- 通信领域
- 通用负载点
- 笔记本电脑VCORE