FDMS10C4D2N-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
FDMS10C4D2N-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）， 以及3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻有效降低导通损耗， 提升系统效率， 同时支持高电流密度工作。 适用于高功率电源转换、电机驱动和高频开关等应用场合， 能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
199
货期
现货
FDMS10C4D2N-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 199 |
FDMS10C4D2N-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）， 以及3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻有效降低导通损耗， 提升系统效率， 同时支持高电流密度工作。 适用于高功率电源转换、电机驱动和高频开关等应用场合， 能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气稳定性。
FDMS10C4D2N-HXY特性
暂无产品特性。
FDMS10C4D2N-HXY应用领域
暂无应用领域。