FDMS037N08B
IC
Power-56-8
可供量大可议
FDMS037N08B
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench® 工艺生产， 这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
品牌
onsemi
封装
Power-56-8
库存
1
货期
现货
FDMS037N08B参数
| 封装 | Power-56-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
FDMS037N08B概述
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench® 工艺生产， 这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
FDMS037N08B特性
暂无产品特性。
FDMS037N08B应用领域
暂无应用领域。