FDMS0349-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
FDMS0349-HXY
该N沟道MOSFET具备50A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压（VDSS）为30V， 在栅源电压（VGS）为20V时导通电阻（RDS(ON)）低至6.5mΩ。 其极低的导通电阻显著降低导通损耗， 适合高电流、高效率要求的开关应用。 典型用途包括大功率电源转换、电池管理系统以及高密度电力电子模块， 能够在紧凑布局中维持良好的热性能与电气稳定性。
Brand
HXY MOSFET
Package
DFN-8L(5x6)
Stock
90
货期
现货
FDMS0349-HXYParameters
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
FDMS0349-HXY概述
该N沟道MOSFET具备50A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压（VDSS）为30V， 在栅源电压（VGS）为20V时导通电阻（RDS(ON)）低至6.5mΩ。 其极低的导通电阻显著降低导通损耗， 适合高电流、高效率要求的开关应用。 典型用途包括大功率电源转换、电池管理系统以及高密度电力电子模块， 能够在紧凑布局中维持良好的热性能与电气稳定性。
FDMS0349-HXY特性
暂无产品特性。
FDMS0349-HXY应用领域
暂无应用领域。