FDMS0348-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
FDMS0348-HXY
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在导通状态下具有低至5.7毫欧的导通电阻（RDS(on)）。 其低导通电阻有助于减少功率损耗， 提升系统效率， 适用于对电流承载能力和热性能要求较高的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构优化了开关特性与导通性能之间的平衡， 适合在紧凑型高密度电路中使用。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
95
货期
现货
FDMS0348-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
FDMS0348-HXY概述
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 在导通状态下具有低至5.7毫欧的导通电阻（RDS(on)）。 其低导通电阻有助于减少功率损耗， 提升系统效率， 适用于对电流承载能力和热性能要求较高的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构优化了开关特性与导通性能之间的平衡， 适合在紧凑型高密度电路中使用。
FDMS0348-HXY特性
暂无产品特性。
FDMS0348-HXY应用领域
暂无应用领域。