FDMS0312S
IC
PQFN-8(5x6)
可供量大可议
FDMS0312S
FDMS0312S 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。 同时结合了硅和封装技术的发展， 可提供最低的 rDS(on)， 同时保持卓越的开关性能。 此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
品牌
onsemi
封装
PQFN-8(5x6)
库存
200
货期
现货
FDMS0312S参数
| 封装 | PQFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W； 46W |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDMS0312S |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000169 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 2.82nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 735pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:19A 电流:42A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDMS0312S概述
FDMS0312S旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 结合了硅和封装技术的进步, 在保持出色开关性能的同时, 实现最低的RDS(ON)。 该器件还具有高效单片肖特基体二极管的额外优势。
FDMS0312S特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 18 A 时, 最大 rDS(on) = 4.9 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 14 A 时, 最大 rDS(on) = 5.8 m Ω
- 先进的封装和硅技术组合, 实现低RDS(ON)和高效率
- 同步场效应晶体管(SyncFET)肖特基体二极管
- MSL1 坚固封装设计
- 100% 进行 UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
FDMS0312S应用领域
- DC/DC 转换器的同步整流器
- 笔记本电脑 Vcore/ GPU 低端开关
- 网络负载点低端开关
- 台式电脑