FDMQ86530L
自营可供
IC
V-DFN5045-12
FDMQ86530L
与二极管桥相比， 此四 MOSFET 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。
品牌
onsemi
封装
V-DFN5045-12
交期
现货
批次
—
FDMQ86530L参数
| 封装 | V-DFN5045-12 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 22W |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDMQ86530L |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 8.4e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
| 数量 | 4个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 299pF |
| 商品名称 | 耐压:60V 电流:8A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDMQ86530L概述
这款四通道MOSFET解决方案在功率耗散方面比二极管电桥提高了十倍。
FDMQ86530L特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 8 A 时, 最大 rDS(on) = 17.5 m Ω
- 在 VGS = 6 V、ID = 7 A 时, 最大 rDS(on) = 23 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 6.5 A 时, 最大 rDS(on) = 25 m Ω
- 在PD解决方案中具有显著的效率优势
- 符合RoHS标准
FDMQ86530L应用领域
- 有源电桥
- 24V和48V交流系统中的二极管电桥替代方案