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FDMQ8205A
IC

WDFN-12(4.5x5)

可供量大可议

FDMQ8205A

FDMQ8205A 是用于桥式应用的 GreenBridgeTM2 系列四 MOSFET, 因此输入对器件所连接电源的极性不敏感。 很多知名桥式整流电路均可使用传统二极管进行配置。 传统二极管桥的功率损耗相对较高, 在很多应用中都不希望发生这种情况。 尤其对于要求高效桥接的以太网电源 (PoE) 供电设备 (PD) 应用来说更是如此, 因为此应用要使用 IEEE802.3at 类别电源设备 (PSE) 提供的有限功率运行。 FDMQ8205 配备了低 rDS(on) 的双 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET, 因此与传统二极管桥相比, 可以降低由于电压降造成的功率损耗。 FDMQ8205A 使得应用能够最大程度利用可用功率和电压, 消除 PoE PD 应用中的热设计问题。 FDMQ8205 GreenBridgeTM2 不会降低检测和分类要求, 因此可兼容 IEEE802.3at PoE 标准。

品牌

onsemi

封装

WDFN-12(4.5x5)

库存

340

货期

现货

FDMQ8205A参数

封装WDFN-12(4.5x5)
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类以太网供电(PoE)控制器
库存340

FDMQ8205A概述

FDMQ8205A 是用于桥式应用的 GreenBridgeTM2 系列四 MOSFET, 因此输入对器件所连接电源的极性不敏感。 很多知名桥式整流电路均可使用传统二极管进行配置。 传统二极管桥的功率损耗相对较高, 在很多应用中都不希望发生这种情况。 尤其对于要求高效桥接的以太网电源 (PoE) 供电设备 (PD) 应用来说更是如此, 因为此应用要使用 IEEE802.3at 类别电源设备 (PSE) 提供的有限功率运行。 FDMQ8205 配备了低 rDS(on) 的双 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET, 因此与传统二极管桥相比, 可以降低由于电压降造成的功率损耗。 FDMQ8205A 使得应用能够最大程度利用可用功率和电压, 消除 PoE PD 应用中的热设计问题。 FDMQ8205 GreenBridgeTM2 不会降低检测和分类要求, 因此可兼容 IEEE802.3at PoE 标准。

FDMQ8205A特性

暂无产品特性。

FDMQ8205A应用领域

暂无应用领域。

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