WDFN-12(4.5x5)
FDMQ8205A
FDMQ8205A 是用于桥式应用的 GreenBridgeTM2 系列四 MOSFET, 因此输入对器件所连接电源的极性不敏感。 很多知名桥式整流电路均可使用传统二极管进行配置。 传统二极管桥的功率损耗相对较高, 在很多应用中都不希望发生这种情况。 尤其对于要求高效桥接的以太网电源 (PoE) 供电设备 (PD) 应用来说更是如此, 因为此应用要使用 IEEE802.3at 类别电源设备 (PSE) 提供的有限功率运行。 FDMQ8205 配备了低 rDS(on) 的双 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET, 因此与传统二极管桥相比, 可以降低由于电压降造成的功率损耗。 FDMQ8205A 使得应用能够最大程度利用可用功率和电压, 消除 PoE PD 应用中的热设计问题。 FDMQ8205 GreenBridgeTM2 不会降低检测和分类要求, 因此可兼容 IEEE802.3at PoE 标准。
品牌
onsemi
封装
WDFN-12(4.5x5)
库存
340
货期
现货
FDMQ8205A参数
| 封装 | WDFN-12(4.5x5) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 以太网供电(PoE)控制器 |
|---|---|
| 库存 | 340 |
FDMQ8205A概述
FDMQ8205A 是用于桥式应用的 GreenBridgeTM2 系列四 MOSFET, 因此输入对器件所连接电源的极性不敏感。 很多知名桥式整流电路均可使用传统二极管进行配置。 传统二极管桥的功率损耗相对较高, 在很多应用中都不希望发生这种情况。 尤其对于要求高效桥接的以太网电源 (PoE) 供电设备 (PD) 应用来说更是如此, 因为此应用要使用 IEEE802.3at 类别电源设备 (PSE) 提供的有限功率运行。 FDMQ8205 配备了低 rDS(on) 的双 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET, 因此与传统二极管桥相比, 可以降低由于电压降造成的功率损耗。 FDMQ8205A 使得应用能够最大程度利用可用功率和电压, 消除 PoE PD 应用中的热设计问题。 FDMQ8205 GreenBridgeTM2 不会降低检测和分类要求, 因此可兼容 IEEE802.3at PoE 标准。
FDMQ8205A特性
暂无产品特性。
FDMQ8205A应用领域
暂无应用领域。
