FDME820NZT
IC
MicroFET(1.6x1.6)
可供量大可议
FDME820NZT
此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的， 可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 rDS(ON) @ VGS = 1.8 V。
品牌
onsemi
封装
MicroFET(1.6x1.6)
库存
1
货期
现货
FDME820NZT参数
| 封装 | MicroFET(1.6x1.6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
FDME820NZT概述
此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的， 可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 rDS(ON) @ VGS = 1.8 V。
FDME820NZT特性
暂无产品特性。
FDME820NZT应用领域
暂无应用领域。