FDMD8540L
IC
PQFN-8-EP(5x6)
可供量大可议
FDMD8540L
该设备在双功率（5mm x 6mm）封装中包含两个40V N沟道MOSFET。 HS源极和LS漏极内部连接， 适用于半桥/全桥， 具有低源极电感封装、低rDS(on)/Qg品质因数的硅片。
品牌
onsemi
封装
PQFN-8-EP(5x6)
库存
86
货期
现货
FDMD8540L参数
| 封装 | PQFN-8-EP(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 86 |
FDMD8540L概述
该设备在双功率（5mm x 6mm）封装中包含两个40V N沟道MOSFET。 HS源极和LS漏极内部连接， 适用于半桥/全桥， 具有低源极电感封装、低rDS(on)/Qg品质因数的硅片。
FDMD8540L特性
暂无产品特性。
FDMD8540L应用领域
暂无应用领域。