FDMC86570LET60
自营可供
IC
PQFN-8
FDMC86570LET60
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench工艺制造而成， 该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻， 却仍保持卓越的开关性能。
品牌
onsemi
封装
PQFN-8
交期
现货
批次
—
FDMC86570LET60参数
| 封装 | PQFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDMC86570LET60 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00015 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 4.79nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 821pF |
| 商品名称 | FDMC86570LET60 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDMC86570LET60概述
此N沟道MOSFET采用飞兆带屏蔽栅极技术的先进PowerTrench工艺生产。 该工艺针对导通阻抗优化, 可保持卓越开关性能。
FDMC86570LET60特性
- T J额定值扩展: 175°C
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 最大r DS(on) = 4.3 mΩ (V GS = 10 V, I D = 18 A)
- 最大r DS(on) = 6.5 mΩ (V GS = 4.5 V, I D = 15 A)
- 高性能沟道技术可实现极低的r DS(on)
- 终端为无铅产品
- 符合RoHS标准
FDMC86570LET60应用领域
- DC-DC转换