FDMC86261P
IC
TSDSON-8(3.3x3.3)
可供量大可议
FDMC86261P
此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。 这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻， 并针对卓越的开关性能进行了优化。
品牌
onsemi
封装
TSDSON-8(3.3x3.3)
库存
2,764
货期
现货
FDMC86261P参数
| 封装 | TSDSON-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2764 |
FDMC86261P概述
此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。 这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻， 并针对卓越的开关性能进行了优化。
FDMC86261P特性
暂无产品特性。
FDMC86261P应用领域
暂无应用领域。