FDMC86260ET150
自营可供
IC
PQFN-8
FDMC86260ET150
这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 PowerTrench 工艺生产， 该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。
品牌
onsemi
封装
PQFN-8
交期
现货
批次
—
FDMC86260ET150参数
| 封装 | PQFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | FDMC86260ET150 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000139 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 输入电容(Ciss) | 1nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
| 商品名称 | FDMC86260ET150 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
FDMC86260ET150概述
该N沟道MOSFET采用飞兆先进的PowerTrench®工艺生产, 这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
FDMC86260ET150特性
- T J额定值扩展: 175°C
- 最大 rDS(on) = 34 m Ω (VGS = 10 V, ID = 5.4 A )
- 最大 rDS(on) = 44 m Ω (VGS = 6 V, ID = 4.8 A)
- 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
- 100%经过UIL测试
- 终端为无铅产品
- 符合RoHS标准
FDMC86260ET150应用领域
- DC-DC转换